(1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050;2. 中国科学院大学, 北京 100049)
常永伟(1988—),女,山东潍坊人,助理研究员,博士,E-mail:ywchang@mail.sim.ac.cn
TN492
中科院重点部署资助项目(KGFZD-135-16-015)
(1. State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
常永伟,余超,刘海静,等.130 nm加固SOI工艺的抗辐射控制芯片设计[J].国防科技大学学报,2020,42(3):17-21.
CHANG Yongwei, YU Chao, LIU Haijing, et al. Design of radiation-tolerant controller chip in 130 nm hardened SOI process[J]. Journal of National University of Defense Technology,2020,42(3):17-21.