泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响
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The Effect of Wall Injection of Teflon Ablating Material onElectron Number Density
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    采用WNND格式,对有泰氟隆烧蚀产物引射的化学非平衡NS方程进行了数值模拟。采用7组元纯空气化学反应和19组元、28种反应的空气—泰氟隆化学反应系统,对照计算了壁面有泰氟隆烧蚀产物引射和纯空气绕流两种流场,研究了泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响。

    Abstract:

    The chemical non-equilibrium flows over a teflon ablative wall are calculated numerically by solving NS equations with pure-air and teflon-air chemical reaction system. The overall teflon-air chemical system used consists of 19 species and 28 reactions. The effect of wall injection of teflon ablating material on electron number density are discussed.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

石于中,王毛彦,尹乐,等.泰氟隆烧蚀产物对电子密度的影响[J].国防科技大学学报,2004,26(6):30-33.
SHI Yuzhong, WANG Maoyan, YIN Le, et al. The Effect of Wall Injection of Teflon Ablating Material onElectron Number Density[J]. Journal of National University of Defense Technology,2004,26(6):30-33.

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  • 收稿日期:2004-03-28
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  • 在线发布日期: 2013-05-08
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