PIP工艺制备的C/SiC复合材料的氧化行为
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国家“863”基金资助项目(2002AA305102);国家部委基金资助项目(41312011002)


The Oxidation Behaviors of C/SiC Composites Prepared byPrecursor Infiltration Pyrolysis Process
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    摘要:

    PIP工艺制备的C/SiC复合材料中SiC基体富碳,因此增强体和基体均容易氧化。碳纤维和无涂层保护C/SiC复合材料试样在400~1300℃的氧化速率随温度升高而加快,低温为反应控制,高温为扩散控制。CVD-SiC涂层保护C/SiC复合材料和由CVD-SiC层、自愈合层、CVD-SiC层三层涂层保护C/SiC复合材料在400~1300℃的氧化先随温度升高而加快,然后减慢。三层涂层在800~1300℃有非常好的保护效果。扫描电镜照片显示自愈合层的玻璃态物质进入涂层裂纹中,填充裂纹且阻挡氧的通过,从而有良好的抗氧化保护效果。

    Abstract:

    C/SiC composites fabricated by precursor infiltration pyrolysis process are prone to oxidation above 400℃. Their oxidation behaviors have been researched on. The oxidation loss of C fiber textiles or C/SiC composites without coating increases at 400℃ to 1300℃. However,the oxidation loss of C/SiC composites with CVD-SiC coating or three-layer coating, respectively CVD-SiC layer, self-sealing layer and CVD-SiC layer, at first increases at 500℃ to 700℃, then decreases at 800~1300℃. Oxidation loss of C/SiC composites with three-layer coating are less than 6.4% at 800~1300℃ for 288h.SEM photographs indicate vitreous self-sealing layer filling in cracks.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

邹世钦,张长瑞,周新贵,等. PIP工艺制备的C/SiC复合材料的氧化行为[J].国防科技大学学报,2005,27(5):107-112.
ZOU Shiqin, ZHANG Changrui, ZHOU Xingui, et al. The Oxidation Behaviors of C/SiC Composites Prepared byPrecursor Infiltration Pyrolysis Process[J]. Journal of National University of Defense Technology,2005,27(5):107-112.

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  • 收稿日期:2005-04-14
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  • 在线发布日期: 2013-04-08
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